ФФ150Р12КС4ХОСА1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
БТИЗ МОД 1200В 225А 1250Вт
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
225 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
C
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,7 В при 15 В, 150 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
Модуль
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
W 1250
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
11 нФ при 25 В
Конфигурация:
2 независимый
Термистор NTC:
Никакой
Низкопробный номер продукта:
FF150R12K
Введение
Независимый 1200 модуля 2 IGBT v модуль 1250 держателя 225 шасси a w
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: