ФЗ1800Р45ХЛ4С7БПСА1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
Модуль IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
1800 А
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ИХМ-Б
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.6V @ 25V, 1800A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
4500 v
Пакет прибора поставщика:
АГ-IHVB190
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
4000000 w
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
297 нФ при 25 В
Конфигурация:
-
Термистор NTC:
Никакой
Низкопробный номер продукта:
ФЗ1800
Введение
Диафрагма поля зрения 4500 v канавы модуля IGBT 1800 держателей AG-IHVB190 шасси a 4000000 w
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: