VS-GT200TS065N
производитель:
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
Описание:
МОДУЛИ IGBT - IAP IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
193 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
КОРОБКА
Серия:
ФРЕД Пт®
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,3 В при 15 В, 200 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет прибора поставщика:
INT-A-PAK IGBT
Mfr:
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 100
Тип IGBT:
Канава
Сила - Макс:
517 w
Входной сигнал:
Стандарт
Рабочая температура:
-40°C | 175°C (TJ)
Конфигурация:
Половинный инвертор моста
Термистор NTC:
Никакой
Введение
Инвертор 650 v моста половины канавы модуля IGBT держатель INT-A-PAK IGBT 193 шасси a 517 w
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: