MG75U12MRGJ
производитель:
Технология Yangjie
Описание:
Транзисторы - БТИЗ - Модули GJ
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
100 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
-
Пакет/случай:
SOT-227-4
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,3 В при 15 В, 75 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
SOT-227
Mfr:
Технология Yangjie
Рабочая температура:
150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 100
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
420 w
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
5,5 nF @ 25 v
Конфигурация:
Одиночный
Термистор NTC:
Никакой
Введение
Модуль одиночное 1200 v IGBT держатель SOT-227 100 шасси a 420 w
Родственные продукты
MG150HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
MG200HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
МГ35П12Е1А
Transistors - IGBTs - Modules E1
MG100HF12LEC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
МГ10П12П2
Transistors - IGBTs - Modules P2
MG150HF12TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
МГ15П12П3
Transistors - IGBTs - Modules P3
MG300HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG300HF12TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG150HF12LEC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
MG150HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
MG200HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
МГ35П12Е1А |
Transistors - IGBTs - Modules E1
|
|
|
|
MG100HF12LEC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
МГ10П12П2 |
Transistors - IGBTs - Modules P2
|
|
|
|
MG150HF12TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
МГ15П12П3 |
Transistors - IGBTs - Modules P3
|
|
|
|
MG300HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG300HF12TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG150HF12LEC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: