Ф4150Р17МЭ4Б11БПСА1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
МОДУЛЬ 1700V 230A IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
230 a
Состояние продукта:
Прерыванный на Digi-ключе
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ЭконоДУАЛ™ 3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,3 В при 15 В, 150 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1700 v
Пакет прибора поставщика:
Модуль
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 150°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
3 мамы
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Пакет/случай:
Модуль
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
12 нФ при 25 В
Конфигурация:
Полный мост
Термистор NTC:
Никакой
Низкопробный номер продукта:
F4150R17
Введение
Мост 1700 v диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT полный модуль держателя 230 шасси a
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: