ФС100Р07Н2Е4Б11БОСА1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
БТИЗ МОД 650В 125А 20МВт
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
125 a
Состояние продукта:
Прерыванный на Digi-ключе
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
ЭконоПАК™ 2
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1,95 В при 15 В, 100 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет прибора поставщика:
Модуль
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 150°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
20 mW
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
6,2 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
Термистор NTC:
Да
Низкопробный номер продукта:
FS100R07
Введение
Инвертор 650 v 125 a диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT трехфазный модуль держателя 20 шасси mW
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: