FF600R12ME4CBOSA1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
БТИЗ МОД 1200В 1060А 4050Вт
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
1060 А
Состояние продукта:
Не для новых дизайнов
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет/случай:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,1 В при 15 В, 600 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
Модуль
Mfr:
Технологии Infineon
Рабочая температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
3 мамы
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
4050 Вт
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
37 nF @ 25 v
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Да
Низкопробный номер продукта:
ФФ600Р12
Введение
Мост 1200 v половины диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT 1060 модулей держателя шасси a 4050 w
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: