T2871N80TOHXPSA1
производитель:
Технологии Infineon
Описание:
МОДУЛЬ 8000V 4120A DO200AE SCR
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Тиристоры
SCRs - модули
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Напряжение тока - с государства:
8 kV
Серия:
-
Настоящий - на государстве (ем (AV)) (Макс):
3660 a
Mfr:
Технологии Infineon
Настоящий - на государстве (ем (RMS)) (Макс):
4120 a
Напряжение тока - пуск ворот (Vgt) (Макс):
2,5 v
Рабочая температура:
-40°C | 125°C
Настоящий - пуск ворот (Igt) (Макс):
350 мам
Структура:
Одиночный
Пакет/случай:
TO-200AF
Течение - не Rep. Пульсация 50, 60Hz (Itsm):
93000A @ 50Hz
Настоящий - владение (Ih) (Макс):
350 мам
Низкопробный номер продукта:
T2871N80
Количество SCRs, диодов:
1 SCR
Введение
Держатель TO-200AF шасси kV 4120 a модуля 8 SCR одиночный
Родственные продукты
T2160N28TOFVTXPSA1
SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE
ТТ500Н16КОФХПСА2
SCR MODULE 1.6KV 900A MODULE
T420N14TOFXPSA1
SCR MODULE 1800V 750A DO200AA
ТТ240Н16СОФХПСА1
LA-T-BOND MODULE
T2160N22TOFVTXPSA1
SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE
ТД270Н16КОФБПСА1
SCR MODULE 1600V 450A MODULE
ТТ251Н14КОФХПСА1
SCR MODULE 1.4KV MODULE
T880N16TOFXPSA1
SCR MODULE 1800V 1750A DO200AB
T430N16TOFXPSA1
SCR MODULE 1800V 700A DO200AA
ТД215Н22КОФТИМХПСА1
THYR / DIODE MODULE DK BG-PB50AT
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
T2160N28TOFVTXPSA1 |
SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE
|
|
|
|
ТТ500Н16КОФХПСА2 |
SCR MODULE 1.6KV 900A MODULE
|
|
|
|
T420N14TOFXPSA1 |
SCR MODULE 1800V 750A DO200AA
|
|
|
|
ТТ240Н16СОФХПСА1 |
LA-T-BOND MODULE
|
|
|
|
T2160N22TOFVTXPSA1 |
SCR MODULE 2800V 4600A DO200AE
|
|
|
|
ТД270Н16КОФБПСА1 |
SCR MODULE 1600V 450A MODULE
|
|
|
|
ТТ251Н14КОФХПСА1 |
SCR MODULE 1.4KV MODULE
|
|
|
|
T880N16TOFXPSA1 |
SCR MODULE 1800V 1750A DO200AB
|
|
|
|
T430N16TOFXPSA1 |
SCR MODULE 1800V 700A DO200AA
|
|
|
|
ТД215Н22КОФТИМХПСА1 |
THYR / DIODE MODULE DK BG-PB50AT
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: