MG150HF12MRC2
производитель:
Технология Yangjie
Описание:
Транзисторы - БТИЗ - Модули C2
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
150 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
-
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
-
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
С2
Mfr:
Технология Yangjie
Тип IGBT:
-
Пакет/случай:
Модуль
Входной сигнал:
Стандарт
Рабочая температура:
-
Конфигурация:
Одиночный измельчитель
Термистор NTC:
Никакой
Введение
Тяпка 1200 v модуля IGBT одиночная держатель C2 150 шасси a
Родственные продукты
MG150HF12TLC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
MG200HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
МГ35П12Е1А
Transistors - IGBTs - Modules E1
MG100HF12LEC1
Transistors - IGBTs - Modules C1
МГ10П12П2
Transistors - IGBTs - Modules P2
MG150HF12TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
МГ15П12П3
Transistors - IGBTs - Modules P3
MG300HF12MRC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
MG75U12MRGJ
Transistors - IGBTs - Modules GJ
MG300HF12TLC2
Transistors - IGBTs - Modules C2
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
MG150HF12TLC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
MG200HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
МГ35П12Е1А |
Transistors - IGBTs - Modules E1
|
|
|
|
MG100HF12LEC1 |
Transistors - IGBTs - Modules C1
|
|
|
|
МГ10П12П2 |
Transistors - IGBTs - Modules P2
|
|
|
|
MG150HF12TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
МГ15П12П3 |
Transistors - IGBTs - Modules P3
|
|
|
|
MG300HF12MRC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
|
|
|
MG75U12MRGJ |
Transistors - IGBTs - Modules GJ
|
|
|
|
MG300HF12TLC2 |
Transistors - IGBTs - Modules C2
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: