АПТГФК25Х120Т2Г
производитель:
Microsemi Корпорация
Описание:
МОДУЛЬ 1200V 40A 227W SP2 IGBT
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
40 a
Состояние продукта:
Активный
Устанавливать тип:
Через отверстие
Пакет:
большая часть
Серия:
-
Пакет/случай:
СП2
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 25A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет прибора поставщика:
СП2
Mfr:
Microsemi Корпорация
Рабочая температура:
-
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
NPT и Fieldstop
Сила - Макс:
227 w
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
2,02 nF @ 25 v
Конфигурация:
Полный мост
Термистор NTC:
Да
Низкопробный номер продукта:
APTGFQ25
Введение
Модуль NPT IGBT и мост 1200 v 40 a 227 w Fieldstop полный до отверстие SP2
Родственные продукты
АПТГФ50С60Т3Г
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
АПТГВ50Х120Т3Г
IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
АПТГТ75Х60Т2Г
IGBT MODULE 600V 100A 250W SP2
АПТГФ150ДУ120ТГ
IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
АПТ50ГФ60Ю3
IGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227
АПТГФ30TL601G
IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1
АПТ25ГФ120ДЖКУ2
IGBT MOD 1200V 45A 227W SOT227
АПТГФ300А120Д3Г
IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3
АПТГФ300DA120G
IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6
АПТГЛ180А1202Г
IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
АПТГФ50С60Т3Г |
IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
|
|
|
|
АПТГВ50Х120Т3Г |
IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
|
|
|
|
АПТГТ75Х60Т2Г |
IGBT MODULE 600V 100A 250W SP2
|
|
|
|
АПТГФ150ДУ120ТГ |
IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
|
|
|
|
АПТ50ГФ60Ю3 |
IGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227
|
|
|
|
АПТГФ30TL601G |
IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1
|
|
|
|
АПТ25ГФ120ДЖКУ2 |
IGBT MOD 1200V 45A 227W SOT227
|
|
|
|
АПТГФ300А120Д3Г |
IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3
|
|
|
|
АПТГФ300DA120G |
IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6
|
|
|
|
АПТГЛ180А1202Г |
IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: