АПТГФ50С60Т3Г
производитель:
Microsemi Корпорация
Описание:
БТИЗ МОДУЛЬ 600В 65А 250Вт SP3
Категория:
Дискретные продукты полупроводника
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
65 А
Состояние продукта:
Устарелый
Устанавливать тип:
Держатель шасси
Пакет:
большая часть
Серия:
-
Пакет/случай:
SP3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,45 В при 15 В, 50 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
600 v
Пакет прибора поставщика:
SP3
Mfr:
Microsemi Корпорация
Рабочая температура:
-
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
NPT
Сила - Макс:
250 w
Входной сигнал:
Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce:
2,2 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
Термистор NTC:
Да
Введение
Инвертор 600 v NPT модуля IGBT трехфазный держатель SP3 65 шасси a 250 w
Родственные продукты
АПТГВ50Х120Т3Г
IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
АПТГТ75Х60Т2Г
IGBT MODULE 600V 100A 250W SP2
АПТГФ150ДУ120ТГ
IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
АПТ50ГФ60Ю3
IGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227
АПТГФ30TL601G
IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1
АПТ25ГФ120ДЖКУ2
IGBT MOD 1200V 45A 227W SOT227
АПТГФК25Х120Т2Г
IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
АПТГФ300А120Д3Г
IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3
АПТГФ300DA120G
IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6
АПТГЛ180А1202Г
IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
АПТГВ50Х120Т3Г |
IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
|
|
|
|
АПТГТ75Х60Т2Г |
IGBT MODULE 600V 100A 250W SP2
|
|
|
|
АПТГФ150ДУ120ТГ |
IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
|
|
|
|
АПТ50ГФ60Ю3 |
IGBT MODULE 600V 75A 277W SOT227
|
|
|
|
АПТГФ30TL601G |
IGBT MODULE 600V 42A 140W SP1
|
|
|
|
АПТ25ГФ120ДЖКУ2 |
IGBT MOD 1200V 45A 227W SOT227
|
|
|
|
АПТГФК25Х120Т2Г |
IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
|
|
|
|
АПТГФ300А120Д3Г |
IGBT MODULE 1200V 420A 2100W D3
|
|
|
|
АПТГФ300DA120G |
IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6
|
|
|
|
АПТГЛ180А1202Г |
IGBT MODULE 1200V 220A 750W SP2
|
Отправьте RFQ
Запас:
Минимальный заказ: