Фильтры
Фильтры
Транзисторы
| Изображение | Часть # | Описание | производитель | Запас | запрос предложений | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
АПТГТ75ДА60Т1Г |
МОДУЛЬ 600V 100A 250W SP1 IGBT
|
Технология микросхемы
|
|
|
|
|
|
APT60GT60JR |
МОДУЛЬ 600V 93A 378W ISOTOP IGBT
|
Технология микросхемы
|
|
|
|
|
|
ФП40Р12КТ3ГБОСА1 |
БТИЗ МОД 1200В 55А 210Вт
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФС50Р07У1Е4БПСА1 |
БТИЗ МОДУЛЬ 650В 75А 230Вт
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФС50Р12В2Т4Б11БОМА1 |
БТИЗ МОД 1200В 83А 335Вт
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФФ225Р12МС4БОСА1 |
MOD 1200V 275A 1450W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФС300Р12КЕ3БОСА1 |
БТИЗ МОД 1200В 500А 1450Вт
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФС35Р12В1Т4БОМА1 |
MOD 1200V 65A 225W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
F3L15R12W2H3B27BOMA1 |
MOD 1200V 20A 145W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФД400Р12КЭ3Б5ХОСА1 |
БТИЗ МОД 1200В 580А 2000Вт
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
АПТГТ300ДА120Г |
МОДУЛЬ 1200V 420A 1380W SP6 IGBT
|
Технология микросхемы
|
|
|
|
|
|
ФП50Р12В3Т7Б11БПСА1 |
НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ ЛЕГКОЕ AG-EASY3B-1
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
MG1215H-XBN2MM |
БТИЗ МОД 1200В 25А 105Вт
|
Littelfuse Inc.
|
|
|
|
|
|
ФС50Р12КЭ3БОСА1 |
MOD 1200V 75A 270W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
APT45GP120JDQ2 |
MOD 1200V 75A 329W ISOTOP IGBT
|
Технология микросхемы
|
|
|
|
|
|
ВС-ГА200СА60УП |
MOD 600V 200A 500W SOT227 IGBT
|
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
|
|
|
|
|
|
АПТГТ200ТЛ60Г |
МОДУЛЬ 600V 300A 652W SP6 IGBT
|
Технология микросхемы
|
|
|
|
|
|
АПТГЛК100А120Т3АГ |
МОДУЛЬ 1200V 185A 650W SP3 IGBT
|
Технология микросхемы
|
|
|
|
|
|
ФЗ1000Р33ХЛ3БПСА1 |
MOD 3300V 1000A 1600W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
APT100GT60JR |
MOD 600V 148A 500W ISOTOP IGBT
|
Технология микросхемы
|
|
|
|
|
|
ФЗ3600Р12ХП4ХОСА2 |
МОДУЛЬ 1200V 4930A IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ВС-ГТ80ДА120У |
MOD 1200V 139A 658W SOT227 IGBT
|
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
|
|
|
|
|
|
IFF450B12ME4PB11BPSA1 |
MOD 1200V 450A 40W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
МГ25П12П3 |
Транзисторы - БТИЗ - Модули P3
|
Технология Yangjie
|
|
|
|
|
|
MG100HF12TLC1 |
Транзисторы - БТИЗ - Модули C1
|
Технология Yangjie
|
|
|
|
|
|
MG150HF12MRC2 |
Транзисторы - БТИЗ - Модули C2
|
Технология Yangjie
|
|
|
|
|
|
Ф4150Р06КЛ4БОСА1 |
MOD 600V 180A 570W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
Ф3Л200Р12В2Х3ПБ11БПСА1 |
МОДУЛЬ IGBT 1200V EASY2B-2
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФФ300Р12КЕ4ФОСА1 |
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 300А
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФФ650Р17ИЕ4ВБОСА1 |
БТИЗ МОДУЛЬ 1700В 4150ВТ
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФП10Р12В1Т4Б11БОМА1 |
БТИЗ МОД 1200В 20А 105Вт
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
АПТГТ75СК120ТГ |
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 110А 357Вт SP4
|
Технология микросхемы
|
|
|
|
|
|
ФФ1200Р17КП4Б2НОСА2 |
БТИЗ МОДУЛЬ 1700В 1200А
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
Ф43Л50Р07В2Х3ФБ11БПСА2 |
БТИЗ МОД 650В 50А 20МВт
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
6PS04512E43W39693NOSA1 |
МОДУЛЬ 500V 300A IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-GB70LA60UF |
MOD 600V 111A 447W SOT227 IGBT
|
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
|
|
|
|
|
|
ФФ450Р12ИЕ4БОСА2 |
MOD 1200V 450A 2550W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-GT100TS065S |
МОДУЛИ IGBT - IAP IGBT
|
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
|
|
|
|
|
|
АПТГФ180Х60Г |
МОДУЛЬ 600V 220A 833W SP6 IGBT
|
Технология микросхемы
|
|
|
|
|
|
VS-GT55NA120UX |
SOT-227 - ВЫСОКАЯ БОРТОВАЯ ТЯПКА IGBT
|
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
|
|
|
|
|
|
ФП10Р12В1Т7Б11БОМА1 |
МОДУЛЬ 1200V 10A 20MW IGBT ЛЕГКИЙ
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФП35Р12КТ4Б11БОСА1 |
MOD 1200V 35A 210W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
ФФ600Р12МЕ4КБ11БОСА1 |
БТИЗ МОД 1200В 1060А 4050Вт
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
FP50R06W2E3BOMA1 |
МОДУЛЬ 600V 65A 175W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
A2U12M12W2-F2 |
МОДУЛЬ ПИТАНИЯ ACEPACK 2, 3 УРОВНЯ
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ФС75Р12КЕ3БОСА1 |
БТИЗ МОД 1200В 105А 350Вт
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
Ф1235Р12КТ4ГБОСА1 |
MOD 1200V 35A 210W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
Ф3Л300Р12МТ4ПБ23БПСА1 |
MOD 1200V 300A 20MW IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|
|
|
|
МГ25П12Е1А |
Транзисторы - БТИЗ - Модули E1
|
Технология Yangjie
|
|
|
|
|
|
ФП50Р12КЭ3БОСА1 |
MOD 1200V 75A 280W IGBT
|
Технологии Infineon
|
|
|